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> 反应离子刻蚀
日本SAMCO RIE等离子蚀刻设备 RIE-10NR
RIE-10NR是一种新型的低成本、高性能、全自动反应离子刻蚀系统,能够满足非腐蚀性气体化学最苛刻的工艺要求。 计算机化触摸屏为工艺配方编程和存储提供了用户友好的界面。该系统可以实现精确的侧壁轮廓控制和材料之间的高蚀刻选择性。凭借其圆滑、紧凑的设计,RIE-10NR只需要很小的洁净室空间。
型号:
RIE-10NR
发布时间:2023-08-07
日本SAMCO ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP
RIE-800iP是一种高性能ICP(电感耦合等离子体)蚀刻系统,它使用高密度等离子体来执行光电器件和电子元件所需的化合物半导体或介电膜蚀刻.
型号:
RIE-800iP
发布时间:2024-02-03
日本SAMCO 深硅蚀刻设备 RIE-400iP
The RIE-400iP是一种高性能电感耦合等离子体(ICP)蚀刻系统,它使用高密度等离子体来执行光电器件和电子元件所需的化合物半导体蚀刻。
型号:
RIE-400iP
发布时间:2024-02-03
Oxford RIE反应离子刻蚀机PlasmaPro 80
PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统,可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置,便于使用,且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸,是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。
型号:
PlasmaPro 80 RIE
发布时间:2023-03-01
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